| 电子级去离子水的技术要求 |
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电子级去离子水（又称UDI水）是目前要求最高的使用领域，除了常见的电阻率指标，根据使用不同还有其他指标要求。
★ 电阻率
水的电阻率的大小，与水中含盐量的多少、水中离子含量、离子的电荷数以及离子的运动速度有关。因此常用为纯水的衡量指标。
★ 微粒
微粒是中心问题，因为影响最显著，而且细菌残骸以及含菌量相关联的TOC，溶解氧都与微粒有关。
★ 总有机碳（TOC）
水中存在多种多样的有机物，以TOC表征其浓度：水中TOC污染会影响器件性能。
★ 溶解氧（DO）
DO是硅片上自然氧化膜的起因，抑制该氧化膜生长之要求随栅氧化层减薄而严格，况且低DO还有助于抑制细菌繁殖。
★ 细菌(Bacteria)
细菌本身可视为微粒，它与微粒同样会造成图形缺陷。
★ 硅(SiO2)
包括可溶性硅和非可溶性硅，它能在硅（芯）片上产生痕迹。
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| 去离子水设备简介 |
去离子水又称为纯水，其主要应用在生物、化学化工、冶金、宇航、电力等领域，但其对水质纯度要求相当高，所以一般应用最普遍的还是电子工业。
在电子行业中，国家标准为：GB1146.1-89至GB1146.11-89[168]，目前我国高纯水的标准将电子级水分为五个级别：Ⅰ级、Ⅱ级、Ⅲ级、Ⅳ级和Ⅴ级，该标准是参照ASTM电子级标准而制定的。
参见： 美国ASTM电子级半导体工业用水要求 目前比较常用的去离子水设备工艺有反渗透、离子交换法、EDI设备等，其中离子交换法包含了复床、混床等工艺设备。
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